TRS8E65C,S1Q

Imagens apenas para referência

TRS8E65C,S1Q

+Lista de Materiais

DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L

  • FabricanteToshiba Semiconductor and Storage

  • Peça do Fabricante #TRS8E65C,S1Q

  • Pacote TO-220-2

  • Em Estoque4695

365 Garantia de Qualidade em 1 dia

7*24 Garantia de serviço em 24 horas

90-Garantia de pós-venda em 1 dia

Garantia de Produto Genuíno

Especificações

Atributo Valor
Supplier Toshiba Semiconductor and Storage
Package / Case Tube
Part Status Obsolete
Diode Type Silicon Carbide Schottky
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 650 V
Current - Average Rectified(Io) 8A (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 8 A
Speed No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 0 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 90 µA @ 650 V
Capacitance @ Vr F 44pF @ 650V, 1MHz
Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220-2L

Produtos relacionados a TRS8E65C,S1Q