Imagens apenas para referência
WNSC10650T6J
+Lista de MateriaisSILICON CARBIDE POWER DIODE
-
FabricanteSemiconductores WeEn
-
Peça do Fabricante #WNSC10650T6J
-
Pacote VSFN-4
-
Em Estoque6336
365 Garantia de Qualidade em 1 dia
7*24 Garantia de serviço em 24 horas
90-Garantia de pós-venda em 1 dia
Garantia de Produto Genuíno
Especificações
| Atributo | Valor |
| Supplier | WeEn Semiconductors |
| Package / Case | Tape & Reel (TR),Cut Tape (CT) |
| Part Status | Active |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Current - Average Rectified(Io) | 10A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 10 A |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 60 µA @ 650 V |
| Capacitance @ Vr F | 328pF @ 1V, 1MHz |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Supplier Device Package | 5-DFN (8x8) |
