APT30DQ60BG vs APT30GP60LDLG Comparação
Esta comparação detalhada entre APT30DQ60BG e APT30GP60LDLG fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
TO-247-2
TO-264-3
Descrição
DIODE GEN PURP 600V 30A TO247
IGBT 600V 100A 463W TO264
Supplier
-
Microchip Technology
Part Status
Active
Active
IGBT Type
-
PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max)
-
600 V
Current - Collector(Ic)(Max)
-
100 A
Current - Collector Pulsed(Icm)
-
120 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic
-
2.7V @ 15V, 30A
Power - Max
-
463 W
Switching Energy
-
260µJ (on), 250µJ (off)
Input Type
-
Standard
Gate Charge
-
90 nC
Td(on / off) @ 25°C
-
13ns/55ns
Test Condition
-
400V, 30A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
Diode Type
Standard
-
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)
600 V
-
Current - Average Rectified(Io)
30A
-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If
2.4 V @ 30 A
-
Speed
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
-
Reverse Recovery Time (trr)
30 ns
-
Current - Reverse Leakage @ Vr
25 µA @ 600 V
-
