APT30DQ60BG vs APT30GS60KRG Comparação

Esta comparação detalhada entre APT30DQ60BG e APT30GS60KRG fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
APT30DQ60BG

+Lista de Materiais

1309 PCS | Tecnologia Microchip
APT30GS60KRG

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4233 PCS | Microsemi Corporation
Pacote TO-247-2 TO-220-3
Descrição DIODE GEN PURP 600V 30A TO247 IGBT 600V 54A 250W TO220
Supplier - Microchip Technology
Part Status Active Obsolete
IGBT Type - NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) - 54 A
Current - Collector Pulsed(Icm) - 113 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic - 3.15V @ 15V, 30A
Power - Max - 250 W
Switching Energy - 570µJ (off)
Input Type - Standard
Gate Charge - 145 nC
Td(on / off) @ 25°C - 16ns/360ns
Test Condition - 400V, 30A, 9.1Ohm, 15V
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Diode Type Standard -
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 600 V -
Current - Average Rectified(Io) 30A -
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 2.4 V @ 30 A -
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) -
Reverse Recovery Time (trr) 30 ns -
Current - Reverse Leakage @ Vr 25 µA @ 600 V -
Modelo de comparação : APT30DQ60BG APT30GS60KRG

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