AUIRF5210S vs AUIRFR4615TRL

Esta comparação detalhada entre AUIRF5210S e AUIRFR4615TRL fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification AUIRF5210S AUIRFR4615TRL
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Obsolete Not For New Designs
FET Type P-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 38A (Tc) 33A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 60mOhm @ 38A, 10V 42mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 230 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2780 pF @ 25 V 1750 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 144W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ