BAS16LT1G vs BAS16DXV6T5G

Esta comparação detalhada entre BAS16LT1G e BAS16DXV6T5G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification BAS16LT1G BAS16DXV6T5G
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Diode Configuration - 2 Independent
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 100 V 75 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) - 200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) 6 ns 6 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 100 V 1 µA @ 75 V
Operating Temperature - Junction - -55°C ~ 150°C
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Average Rectified(Io) 200mA (DC) -
Capacitance @ Vr F 2pF @ 0V, 1MHz -
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