BAW56,215 vs BAW56E6327

Esta comparação detalhada entre BAW56,215 e BAW56E6327 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification BAW56,215 BAW56E6327
Supplier Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Part Status Active Obsolete
Diode Configuration 1 Pair Common Anode 1 Pair Common Anode
Diode Type Standard Standard
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 90 V 80 V
Current - Average Rectified(Io)(per Diode) 215mA (DC) 200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25 V @ 150 mA 1.25 V @ 150 mA
Speed Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr) 4 ns 4 ns
Current - Reverse Leakage @ Vr 500 nA @ 80 V 150 nA @ 70 V
Operating Temperature - Junction 150°C (Max) 150°C (Max)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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