BAW56,215
NXP USA Inc.
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 7892 PCS
- Package
- TO-236-3
- Series
- Diodes - Rectificadores - Arrays
Esta comparação detalhada entre BAW56,215 e BAW56LT116 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.
NXP USA Inc.
Semiconductor de Rohm
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| Specification | BAW56,215 | BAW56LT116 |
|---|---|---|
| Supplier | Rochester Electronics, LLC | Rohm Semiconductor |
| Part Status | Active | Obsolete |
| Diode Configuration | 1 Pair Common Anode | 1 Pair Common Anode |
| Diode Type | Standard | Standard |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 90 V | 70 V |
| Current - Average Rectified(Io)(per Diode) | 215mA (DC) | 215mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25 V @ 150 mA | 1.25 V @ 150 mA |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 ns | 4 ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 500 nA @ 80 V | 1 µA @ 75 V |
| Operating Temperature - Junction | 150°C (Max) | 150°C (Max) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |