BC847BVN115 vs BC847ALT1G

Esta comparação detalhada entre BC847BVN115 e BC847ALT1G fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification BC847BVN115 BC847ALT1G
Part Status Active Active
Transistor Type - NPN
Current - Collector(Ic)(Max) - 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 45 V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic - 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) - 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce - 110 @ 2mA, 5V
Power - Max - 300 mW
Frequency - Transition - 100MHz
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
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