BC847BLT1G vs BC847BVN115

Esta comparação detalhada entre BC847BLT1G e BC847BVN115 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification BC847BLT1G BC847BVN115
Part Status Active Active
Transistor Type NPN -
Current - Collector(Ic)(Max) 100 mA -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45 V -
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA -
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) -
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 200 @ 2mA, 5V -
Power - Max 300 mW -
Frequency - Transition 100MHz -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
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