BC847CDW1T1G vs BC847PNHE3-TP

Esta comparação detalhada entre BC847CDW1T1G e BC847PNHE3-TP fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification BC847CDW1T1G BC847PNHE3-TP
Supplier onsemi Micro Commercial Co
Part Status Active Active
Transistor Type 2 NPN (Dual) NPN, PNP
Current - Collector(Ic)(Max) 100mA 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 45V 45V
Vce Saturation(Max) @ Ib Ic 600mV @ 5mA, 100mA 600mV @ 5mA, 100mA, 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff(Max) 15nA (ICBO) 15nA (ICBO)
DC Current Gain(h FE)(Min) @ Ic Vce 420 @ 2mA, 5V 200 @ 2mA, 5V, 220 @ 2mA, 5V
Power - Max 380mW 200mW
Frequency - Transition 100MHz 100MHz
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series - Automotive, AEC-Q101
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