BYG10M-E3/TR vs BYG10Y-E3/TR

Esta comparação detalhada entre BYG10M-E3/TR e BYG10Y-E3/TR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

BYG10M-E3/TR

Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodes

Lifecycle
Active
Stock
4670 PCS
Package
DO-214AC
Series
Diodes - Rectificadores - Single
+Lista de Materiais RFQ
Part B

BYG10Y-E3/TR

Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodes

Lifecycle
Active
Stock
4402 PCS
Package
DO-214AC
Series
Diodes - Rectificadores - Single
+Lista de Materiais RFQ

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Specification BYG10M-E3/TR BYG10Y-E3/TR
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Part Status Active Active
Diode Type Avalanche Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1000 V 1600 V
Current - Average Rectified(Io) 1.5A 1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4 µs 4 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 1000 V 1 µA @ 1600 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
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