BYG10Y-E3/TR vs BYG10D Comparação

Esta comparação detalhada entre BYG10Y-E3/TR e BYG10D fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
BYG10Y-E3/TR

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4402 PCS | Vishay General Semiconductor - Divisão de Diodes
BYG10D

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2111 PCS | Semicondutor Diotec
Pacote DO-214AC DO-214AC
Descrição DIODE AVALANCHE 1.6KV 1.5A ST Rect, 200V, 1.5A
Supplier Vishay General Semiconductor - Diodes Division DComponents
Part Status Active Active
Diode Type Avalanche Avalanche
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1600 V 200 V
Current - Average Rectified(Io) 1.5A 1.5A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.15 V @ 1.5 A 1.15 V @ 1.5 A
Speed Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr) 4 µs 1.5 µs
Current - Reverse Leakage @ Vr 1 µA @ 1600 V 5 µA @ 200 V
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : BYG10Y-E3/TR BYG10D

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