C3M0065090J vs C3M0015065K Comparação
Esta comparação detalhada entre C3M0015065K e C3M0065090J fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TO-247-4
TO-263-7
Descrição
SICFET N-CH 650V 120A TO247-4L
SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Series
C3M™
C3M™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
SiCFET (Silicon Carbide)
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
650 V
900 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
120A (Tc)
35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
15V
15V
Rds On(Max) @ Id Vgs
21mOhm @ 55.8A, 15V
78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id
3.6V @ 15.5mA
2.1V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
188 nC @ 15 V
30 nC @ 15 V
Vgs(Max)
+15V, -4V
+19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
5011 pF @ 400 V
660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max)
416W (Tc)
113W (Tc)
Operating Temperature
-40°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Surface Mount
