C3M0016120K vs C3M0065090J

Esta comparação detalhada entre C3M0016120K e C3M0065090J fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification C3M0016120K C3M0065090J
Series C3M™ C3M™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology SiCFET (Silicon Carbide) SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200 V 900 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 115A (Tc) 35A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 15V 15V
Rds On(Max) @ Id Vgs 22.3mOhm @ 75A, 15V 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.6V @ 23mA 2.1V @ 5mA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 211 nC @ 15 V 30 nC @ 15 V
Vgs(Max) +15V, -4V +19V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 6085 pF @ 1000 V 660 pF @ 600 V
Power Dissipation (Max) 556W (Tc) 113W (Tc)
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Surface Mount
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