CSD16415Q5
Texas Instruments
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 2028 PCS
- Package
- TDFN-8
- Series
- Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Esta comparação detalhada entre CSD16415Q5 e CSD16409Q3 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.
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| Specification | CSD16415Q5 | CSD16409Q3 |
|---|---|---|
| Series | NexFET™ | NexFET™ |
| Part Status | Active | Active |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25 V | 25 V |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | 100A (Tc) | 15A (Ta), 60A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | 4.5V, 10V | 4.5V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | 1.15mOhm @ 40A, 10V | 8.2mOhm @ 17A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | 1.9V @ 250µA | 2.3V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | 29 nC @ 4.5 V | 5.6 nC @ 4.5 V |
| Vgs(Max) | +16V, -12V | +16V, -12V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | 4100 pF @ 12.5 V | 800 pF @ 12.5 V |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W (Ta) | 2.6W (Ta) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |