CSD17310Q5A vs CSD17556Q5B Comparação
Esta comparação detalhada entre CSD17556Q5B e CSD17310Q5A fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TDFN-8
TDFN-8
Descrição
MOSFET N-CH 30V 34A/100A 8VSON
MOSFET N-CH 30V 21A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
34A (Ta), 100A (Tc)
21A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
4.5V, 10V
3V, 8V
Rds On(Max) @ Id Vgs
1.4mOhm @ 40A, 10V
5.1mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id
1.65V @ 250µA
1.8V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
±20V
+10V, -8V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
7020 pF @ 15 V
1560 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
3.1W (Ta), 191W (Tc)
3.1W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
