CSD18531Q5A vs CSD18511Q5A Comparação
Esta comparação detalhada entre CSD18511Q5A e CSD18531Q5A fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TDFN-8
Descrição
MOSFET N-CH 40V 159A 8VSON
MOSFET N-CH 60V 19A/100A 8VSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
Base Product Number
CSD18511
-
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
40 V
60 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
159A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.5mOhm @ 24A, 4.5V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.45V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5850 pF @ 10 V
-
Power Dissipation (Max)
104W (Tc)
3.1W (Ta), 156W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
19A (Ta), 100A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
4.6mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.3V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
43 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
3840 pF @ 30 V
