CSD87330Q3D vs CSD87313DMS

Esta comparação detalhada entre CSD87330Q3D e CSD87313DMS fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
CSD87330Q3D

+Lista de Materiais

4721 PCS | Texas Instruments
CSD87313DMS

+Lista de Materiais

6204 PCS | Texas Instruments
Pacote PowerLDFN-8 8-PowerWDFN
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
ProductStatus Active Active
FETType 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max)@Id 2.1V @ 250µA 1.25V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 5.8nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 900pF @ 15V 4290pF @ 15V
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 20A -
Power-Max 6W -
Modelo de comparação : CSD87330Q3D CSD87313DMS

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