CSD87330Q3D vs CSD87313DMS

Esta comparação detalhada entre CSD87330Q3D e CSD87313DMS fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification CSD87330Q3D CSD87313DMS
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 5.8nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 900pF @ 15V 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A -
Power - Max 6W -
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