CSD87330Q3D vs CSD87335Q3D

Esta comparação detalhada entre CSD87335Q3D e CSD87330Q3D fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
CSD87335Q3D

+Lista de Materiais

6547 PCS | Texas Instruments
CSD87330Q3D

+Lista de Materiais

4721 PCS | Texas Instruments
Pacote PowerLDFN-8
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 8LSON MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active -
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V -
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
ProductStatus - Active
FETType - 2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature - Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 20A
Vgs(th)(Max)@Id - 2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 5.8nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 900pF @ 15V
Power-Max - 6W
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Modelo de comparação : CSD87335Q3D CSD87330Q3D

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