CSD87330Q3D vs CSD87335Q3D
Esta comparação detalhada entre CSD87335Q3D e CSD87330Q3D fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
PowerLDFN-8
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2N-CH 30V 20A 8SON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
-
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 N-Channel (Half Bridge)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
20A
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
5.8nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
900pF @ 15V
Power-Max
-
6W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount