CSD87335Q3D vs CSD87350Q5D

Esta comparação detalhada entre CSD87335Q3D e CSD87350Q5D fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification CSD87335Q3D CSD87350Q5D
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
Base Product Number CSD87335Q3 -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Configuration 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th) (Max) @ Id 1.9V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.4nC @ 4.5V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1050pF @ 15V -
Power - Max 6W 12W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 40A
Rds On(Max) @ Id Vgs - 5.9mOhm @ 20A, 8V
Vgs(th)(Max) @ Id - 2.1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 10.9nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 1770pF @ 15V
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