CSD87335Q3D vs CSD87313DMS Comparação
Esta comparação detalhada entre CSD87335Q3D e CSD87313DMS fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
WDFN-8
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier
-
Texas Instruments
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
FET Type
-
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature
-
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
4290pF @ 15V
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
