CSD87312Q3E vs CSD87313DMS Comparação

Esta comparação detalhada entre CSD87312Q3E e CSD87313DMS fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
CSD87312Q3E

+Lista de Materiais

5430 PCS | Texas Instruments
CSD87313DMS

+Lista de Materiais

6204 PCS | Texas Instruments
Pacote TDFN-8 WDFN-8
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Source 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id 1.3V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 8.2nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1250pF @ 15V 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 27A -
Rds On(Max) @ Id Vgs 33mOhm @ 7A , 8V -
Power - Max 2.5W -
Modelo de comparação : CSD87312Q3E CSD87313DMS

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