CSD87331Q3D vs CSD87313DMS Comparação

Esta comparação detalhada entre CSD87331Q3D e CSD87313DMS fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
CSD87331Q3D

+Lista de Materiais

6404 PCS | Texas Instruments
CSD87313DMS

+Lista de Materiais

6204 PCS | Texas Instruments
Pacote LDFN-8 WDFN-8
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON MOSFET 2 N-CHANNEL 30V 8WSON
Supplier - Texas Instruments
Series NexFET™ NexFET™
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Feature Standard Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.1V, 1.2V @ 250µA 1.25V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 3.2nC @ 4.5V 28nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 518pF @ 15V 4290pF @ 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 15A -
Power - Max 6W -
Modelo de comparação : CSD87331Q3D CSD87313DMS

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