CSD87331Q3D vs CSD87335Q3D Comparação
Esta comparação detalhada entre CSD87335Q3D e CSD87331Q3D fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
LDFN-8
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 8LSON
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
Series
NexFET™
NexFET™
Part Status
Active
Active
Base Product Number
CSD87335Q3
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Configuration
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
30V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.9V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
7.4nC @ 4.5V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1050pF @ 15V
-
Power - Max
6W
6W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
FET Type
-
2 N-Channel (Half Bridge)
FET Feature
-
Standard
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
15A
Vgs(th)(Max) @ Id
-
2.1V, 1.2V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
3.2nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
518pF @ 15V
