DGD2190MS8-13 vs DGD2106MS8-13 Comparação

Esta comparação detalhada entre DGD2190MS8-13 e DGD2106MS8-13 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
DGD2190MS8-13

+Lista de Materiais

2801 PCS | Diodes Incorporated
DGD2106MS8-13

+Lista de Materiais

8962 PCS | Diodes Incorporated
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K
Part Status Active Active
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 10V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 2.5V 0.6V, 2.5V
Current - Peak Output(Source Sink) 4.5A, 4.5A 290mA, 600mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 20ns 100ns, 35ns
Operating Temperature -40°C ~ 125°C (TA) -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : DGD2190MS8-13 DGD2106MS8-13

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