FDC6561AN vs FDC653N
Esta comparação detalhada entre FDC653N e FDC6561AN fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SSOT-6
SSOT-6
Descrição
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
2 N-Channel (Dual)
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5A (Ta)
2.5A
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
-
RdsOn(Max)@IdVgs
35mOhm @ 5A, 10V
95mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
17 nC @ 10 V
3.2nC @ 5V
Vgs(Max)
±20V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
350 pF @ 15 V
220pF @ 15V
PowerDissipation(Max)
1.6W (Ta)
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
-
PowerTrench®
FETFeature
-
Logic Level Gate
Power-Max
-
700mW
