FDC658AP vs FDC653N
Esta comparação detalhada entre FDC653N e FDC658AP fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SSOT-6
SSOT-6
Descrição
MOSFET N-CH 30V 5A SUPERSOT6
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
P-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30 V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
5A (Ta)
4A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
4.5V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs
35mOhm @ 5A, 10V
50mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2V @ 250µA
3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
17 nC @ 10 V
8.1 nC @ 5 V
Vgs(Max)
±20V
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
350 pF @ 15 V
470 pF @ 15 V
PowerDissipation(Max)
1.6W (Ta)
1.6W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
Series
-
PowerTrench®
