FDG6335N vs FDG6301N_D87Z

Esta comparação detalhada entre FDG6335N e FDG6301N_D87Z fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification FDG6335N FDG6301N_D87Z
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type - 2 N-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 220mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 4Ohm @ 220mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 9.5pF @ 10V
Power - Max - 300mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount