FDG6335N vs FDG6302P

Esta comparação detalhada entre FDG6335N e FDG6302P fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification FDG6335N FDG6302P
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
FET Type - 2 P-Channel (Dual)
FET Feature - Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) - 25V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 140mA
Rds On(Max) @ Id Vgs - 10Ohm @ 140mA, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id - 1.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 0.31nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 12pF @ 10V
Power - Max - 300mW
Operating Temperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type - Surface Mount
Compare RFQ