FDMC86116LZ
onsemi
- Lifecycle
- Active
- Stock
- 6484 PCS
- Series
- Transistores - FETs, MOSFETs - Single FETs, MOSFETs
Esta comparação detalhada entre FDMC86116LZ e FDMC8622 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.
onsemi
onsemi
Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.
Use manufacturer datasheets as the final authority.
| Specification | FDMC86116LZ | FDMC8622 |
|---|---|---|
| Series | PowerTrench® | PowerTrench® |
| Part Status | Active | Active |
| Base Product Number | FDMC86116 | - |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V | 100 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 103mOhm @ 3.3A, 10V | - |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V | - |
| Vgs (Max) | ±20V | - |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 310 pF @ 50 V | - |
| Power Dissipation (Max) | 2.3W (Ta), 19W (Tc) | 2.5W (Ta), 31W (Tc) |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) | - |
| Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C | - | 4A (Ta), 16A (Tc) |
| Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) | - | 6V, 10V |
| Rds On(Max) @ Id Vgs | - | 56mOhm @ 4A, 10V |
| Vgs(th)(Max) @ Id | - | 4V @ 250µA |
| Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs | - | 7.3 nC @ 10 V |
| Vgs(Max) | - | ±20V |
| Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds | - | 402 pF @ 50 V |