FDMC8622 vs FDMC86116LZ

Esta comparação detalhada entre FDMC86116LZ e FDMC8622 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote PowerWDFN-8
Descrição MOSFET N-CH 100V 3.3A/7.5A 8MLP MOSFET N-CH 100V 4A/16A 8MLP
Series PowerTrench® PowerTrench®
Part Status Active -
Base Product Number FDMC86116 -
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Ta), 7.5A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 103mOhm @ 3.3A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 2.3W (Ta), 19W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Mounting Type Surface Mount -
Packaging Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) -
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 4A (Ta), 16A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 6V, 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 56mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 7.3 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 402 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) - 2.5W (Ta), 31W (Tc)
OperatingTemperature - -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType - Surface Mount
Modelo de comparação : FDMC86116LZ FDMC8622

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