FDMS8018 vs FDMS8050ET30 Comparação
Esta comparação detalhada entre FDMS8018 e FDMS8050ET30 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
TDFN-8
Descrição
MOSFET N-CH 30V 30A/120A 8PQFN
MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
Active
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
30 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
55A (Ta), 423A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
0.65mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
3V @ 750µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
285 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
22610 pF @ 15 V
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta), 83W (Tc)
3.3W (Ta), 180W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Base Product Number
FDMS80
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
30A (Ta), 120A (Tc)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 10 V
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Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5235 pF @ 15 V
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Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
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