FDS6982AS vs FDS6990AS
Esta comparação detalhada entre FDS6982AS e FDS6990AS fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SOIC-8
Descrição
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A/8.6A 8-SO
MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC
Series
PowerTrench®, SyncFET™
PowerTrench®, SyncFET™
Part Status
-
Obsolete
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
7.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
22mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
3V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
14nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
550pF @ 15V
Power - Max
-
900mW
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
FDS6990
ProductStatus
Obsolete
-
FETType
2 N-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.3A, 8.6A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
28mOhm @ 6.3A, 10V
-
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
15nC @ 10V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
610pF @ 10V
-
Power-Max
900mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
