FDS9926A vs FDS9953A
Esta comparação detalhada entre FDS9926A e FDS9953A fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Pacote
SOIC-8
Descrição
MOSFET 2N-CH 20V 6.5A 8SOIC
MOSFET 2P-CH 30V 2.9A 8SOIC
Series
PowerTrench®
PowerTrench®
Part Status
-
Obsolete
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
Configuration
-
2 P-Channel (Dual)
FET Feature
-
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
-
30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
-
2.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
130mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
-
3.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
-
185pF @ 15V
Power - Max
-
900mW
Operating Temperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
-
Surface Mount
Base Product Number
-
FDS99
ProductStatus
Active
-
FETType
2 N-Channel (Dual)
-
FETFeature
Logic Level Gate
-
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
-
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.5A
-
RdsOn(Max)@IdVgs
30mOhm @ 6.5A, 4.5V
-
Vgs(th)(Max)@Id
1.5V @ 250µA
-
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
9nC @ 4.5V
-
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
650pF @ 10V
-
Power-Max
900mW
-
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
-
