FGH40N60SMDF vs FGH40N6S2D

Esta comparação detalhada entre FGH40N60SMDF e FGH40N6S2D fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

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Specification FGH40N60SMDF FGH40N6S2D
Supplier - onsemi
Part Status Active Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 80 A 75 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 120 A 180 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.5V @ 15V, 40A 2.7V @ 15V, 20A
Power - Max 349 W 290 W
Switching Energy 1.3mJ (on), 260µJ (off) 115µJ (on), 195µJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 119 nC 35 nC
Td(on / off) @ 25°C 12ns/92ns 8ns/35ns
Test Condition 400V, 40A, 6Ohm, 15V 390V, 20A, 3Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns 48 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type Field Stop -
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