IR2110PBF vs IR2111

Esta comparação detalhada entre IR2110PBF e IR2111 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

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Specification IR2110PBF IR2111
Part Status Active Obsolete
Driven Configuration Half-Bridge Half-Bridge
Channel Type Independent Synchronous
Number of Drivers 2 2
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
Logic Voltage - VILVIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Current - Peak Output(Source Sink) 2A, 2A 250mA, 500mA
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise / Fall Time(Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole