IR2110PBF vs IR2111

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Especificações
IR2110PBF

+Lista de Materiais

2445 PCS | Tecnologias Infineon
IR2111

+Lista de Materiais

5050 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote DIP-14 DIP-8
Descrição IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP
ProductStatus Active Obsolete
DrivenConfiguration Half-Bridge Half-Bridge
ChannelType Independent Synchronous
NumberofDrivers 2 2
GateType IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage-Supply 3.3V ~ 20V 10V ~ 20V
LogicVoltage-VILVIH 6V, 9.5V 8.3V, 12.6V
Current-PeakOutput(SourceSink) 2A, 2A 250mA, 500mA
InputType Non-Inverting Non-Inverting
HighSideVoltage-Max(Bootstrap) 500 V 600 V
Rise/FallTime(Typ) 25ns, 17ns 80ns, 40ns
OperatingTemperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Modelo de comparação : IR2110PBF IR2111

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