IR21271STRPBF vs IR2125S Comparação

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Especificações
IR21271STRPBF

+Lista de Materiais

7301 PCS | Tecnologias Infineon
IR2125S

+Lista de Materiais

4980 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC 8N
Descrição IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Part Status Active Obsolete
Digi Key Programmable - Not Verified
Driven Configuration High-Side or Low-Side High-Side
Channel Type Single Single
Number of Drivers 1 1
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, MOSFET (N-Channel)
Voltage - Supply 9V ~ 20V 0V ~ 18V
Logic Voltage - VIL, VIH - 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output (Source, Sink) - 1.6A, 3.3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
Rise / Fall Time (Typ) - 43ns, 26ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Base Product Number - IR2125
High Side Voltage - Max (Bootstrap) - 500 V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 3V -
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA -
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V -
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 40ns -
Modelo de comparação : IR21271STRPBF IR2125S

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