IR21271STRPBF vs IR2125SPBF Comparação

Esta comparação detalhada entre IR21271STRPBF e IR2125SPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IR21271STRPBF

+Lista de Materiais

7301 PCS | Tecnologias Infineon
IR2125SPBF

+Lista de Materiais

4233 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC 8N SOIC-16
Descrição IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC IC GATE DRVR HIGH-SIDE 16SOIC
Part Status Active Active
Driven Configuration High-Side or Low-Side High-Side
Channel Type Single Single
Number of Drivers 1 1
Gate Type IGBT, N-Channel MOSFET IGBT, N-Channel MOSFET
Voltage - Supply 9V ~ 20V 0V ~ 18V
Logic Voltage - VILVIH 0.8V, 3V 0.8V, 2.2V
Current - Peak Output(Source Sink) 250mA, 500mA 1.6A, 3.3A
Input Type Non-Inverting Non-Inverting
High Side Voltage - Max(Bootstrap) 600 V 500 V
Rise / Fall Time(Typ) 80ns, 40ns 43ns, 26ns
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ) -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IR21271STRPBF IR2125SPBF

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