IRF1405PBF vs IRF1404PBF
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Especificações
Pacote
TO220
TO220
Descrição
MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB
MOSFET N-CH 55V 169A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40 V
55 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
202A (Tc)
169A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
4mOhm @ 121A, 10V
5.3mOhm @ 101A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
196 nC @ 10 V
260 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
5669 pF @ 25 V
5480 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
333W (Tc)
330W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType
Through Hole
Through Hole
