IRF530NSTRLPBF vs IRF530

Esta comparação detalhada entre IRF530NSTRLPBF e IRF530 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF530NSTRLPBF

+Lista de Materiais

1441 PCS | Tecnologias Infineon
IRF530

+Lista de Materiais

1420 PCS | STMicroeletrônica
Pacote TO-263-3 TO-220-3
Descrição MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK MOSFET N-CH 100V 14A TO220AB
Series HEXFET® STripFET™ II
ProductStatus Active Obsolete
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 100 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 17A (Tc) 14A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 90mOhm @ 9A, 10V 160mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 37 nC @ 10 V 21 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 920 pF @ 25 V 458 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3.8W (Ta), 70W (Tc) 60W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Through Hole
Modelo de comparação : IRF530NSTRLPBF IRF530

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