IRF640NSTRLPBF vs IRF640PBF
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Especificações
Pacote
TO-263-3
TO-220-3
Descrição
HEXFET POWER MOSFET
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
200 V
200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
18A (Tc)
18A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
150mOhm @ 11A, 10V
180mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
4V @ 250µA
4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
67 nC @ 10 V
70 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
1160 pF @ 25 V
1300 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
150W (Tc)
125W (Tc)
OperatingTemperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Through Hole
Series
HEXFET®
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