IRF7104TRPBF vs IRF7103Q

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Especificações
IRF7104TRPBF

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22804 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7103Q

+Lista de Materiais

9666 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 50V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.3A 3A
RdsOn(Max)@IdVgs 250mOhm @ 1A, 10V 130mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 10V 15nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290pF @ 15V 255pF @ 25V
Power-Max 2W 2.4W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF7104TRPBF IRF7103Q

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