IRF7104TRPBF vs IRF7105PBF

Esta comparação detalhada entre IRF7104TRPBF e IRF7105PBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF7104TRPBF

+Lista de Materiais

22804 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7105PBF

+Lista de Materiais

7430 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 25V 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 25V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 2.3A 3.5A, 2.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 250mOhm @ 1A, 10V 100mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 10V 27nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 290pF @ 15V 330pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF7104TRPBF IRF7105PBF

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