IRF7104TRPBF vs IRF7106
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Especificações
Pacote
SOIC-8
SOIC-8
Descrição
MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 20V 3A/2.5A 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Obsolete
FETType
2 P-Channel (Dual)
N and P-Channel
FETFeature
Logic Level Gate
Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss)
20V
20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
2.3A
3A, 2.5A
RdsOn(Max)@IdVgs
250mOhm @ 1A, 10V
125mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
3V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
25nC @ 10V
25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
290pF @ 15V
300pF @ 15V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
