IRF7303TRPBF vs IRF7389 Comparação

Esta comparação detalhada entre IRF7303TRPBF e IRF7389 fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF7303TRPBF

+Lista de Materiais

5181 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7389

+Lista de Materiais

5901 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SO-8 SOIC-8
Descrição MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.4A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 25nC @ 10V 33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 520pF @ 25V 650pF @ 25V
Power - Max 2W 2.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 4.9A -
Modelo de comparação : IRF7303TRPBF IRF7389

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