IRF7341GTRPBF vs IRF7343TRPBF

Esta comparação detalhada entre IRF7343TRPBF e IRF7341GTRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF7343TRPBF

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3788 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7341GTRPBF

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3946 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SO-8 SO-8
Descrição MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC MOSFET N-CH 55V 5.1A
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Standard Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.7A, 3.4A 5.1A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 44nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V 780pF @ 25V
Power-Max 2W 2.4W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF7343TRPBF IRF7341GTRPBF

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