IRF7341PBF vs IRF7306TR

Esta comparação detalhada entre IRF7341PBF e IRF7306TR fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
IRF7341PBF

+Lista de Materiais

4680 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7306TR

+Lista de Materiais

9561 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Descrição MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Supplier Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.7A 3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V 440pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF7341PBF IRF7306TR

+Lista de Materiais RFQ