IRF7341PBF vs IRF7379

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Especificações
IRF7341PBF

+Lista de Materiais

4680 PCS | Tecnologias Infineon
IRF7379

+Lista de Materiais

4291 PCS | Tecnologias Infineon
Pacote SOIC-8 SOIC-8
Descrição MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.7A 5.8A, 4.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V 520pF @ 25V
Power-Max 2W 2.5W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Modelo de comparação : IRF7341PBF IRF7379

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