IRF7842TRPBF vs IRF7855TRPBF
Esta comparação detalhada entre IRF7842TRPBF e IRF7855TRPBF fornece informações valiosas sobre suas especificações e principais características. Abordamos fatores importantes em detalhes, incluindo conformidade com RoHS, status REACH, série, estilo de montagem, tipo de encapsulamento e outras características relevantes. Apresentar as diferenças lado a lado simplifica a seleção de componentes, facilitando a escolha da melhor opção para sua aplicação específica. Para mais informações, consulte as fichas técnicas ou entre em contato com nossa equipe de vendas para obter ajuda na seleção da peça certa para o seu projeto.
Especificações
Pacote
SOIC-8
SOIC-8
Descrição
MOSFET N-CH 40V 18A 8SO
MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
40 V
60 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
18A (Ta)
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
4.5V, 10V
10V
RdsOn(Max)@IdVgs
5mOhm @ 17A, 10V
9.4mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
2.25V @ 250µA
4.9V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
50 nC @ 4.5 V
39 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
4500 pF @ 20 V
1560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
