IRFB4410ZPBF vs IRFB4127PBF Comparação
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Especificações
Pacote
TO-220
TO-220
Descrição
MOSFET N-CH 100V 97A TO220AB
MOSFET N-CH 200V 76A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
97A (Tc)
76A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
9mOhm @ 58A, 10V
20mOhm @ 44A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 150µA
5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
150 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
4820 pF @ 50 V
5380 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
230W (Tc)
375W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
